台积电取得半导体装置及其制造方法专利，实现存储数据的功能
作者：admin 发布时间：2023-12-12 11:40 分类：资讯 浏览：69 评论：0
导读：转自：金融界本文源自:金融界金融界2023年12月12日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置及其制造方法“，授权公告号CN1103233...
转自：金融界
本文源自:金融界
金融界2023年12月12日消息，据国家知识产权局公告，台湾积体电路制造股份有限公司取得一项名为“半导体装置及其制造方法“，授权公告号CN110323331B，申请日期为2018年10月。
专利摘要显示，本揭露涉及一种半导体装置及其制造方法。本发明实施例涉及一种半导体装置，其包含底部电极、顶部电极、切换层及扩散阻障层。所述顶部电极在所述底部电极上方。所述切换层在所述底部电极与所述顶部电极之间，且经配置以存储数据。所述扩散阻障层在所述底部电极与所述切换层之间以阻碍所述切换层与所述底部电极之间的离子的扩散。
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