存储：DRAM和NAND Flash合约价涨幅可能为中高双位数
作者：admin 发布时间：2024-05-14 08:43 分类：资讯 浏览：26 评论：0
导读：来源 Gangtise投研分析师表示，2024Q1大宗存储合约价季度涨幅超过20%，Q2合约价涨幅预期扩大，DRAM和NANDFlash合约价涨幅可能为中高双位数。H2为消费...
来源 Gangtise投研
分析师表示，2024Q1大宗存储合约价季度涨幅超过20%，Q2合约价涨幅预期扩大，DRAM和NAND Flash合约价涨幅可能为中高双位数。H2为消费电子旺季且随着AI渗透率提升，带动消费电子出货上修，预计Q3、Q4需求侧将进一步驱动存储产品价格上升。
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